cmos circuits中文是什么意思

• 互补金属氧化半导体电路

• "circuit"中文翻译    n. 1.(某一范围的)周边一圈；巡回，周游；巡回路线[ ...
• "cmos" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金属氧化物半导体工艺; 互补式金属-氧化层-半导体; 互补型金属氧化半导体; 逻辑; 相补型金属酸化物半导体; 帧校准器; 中的设置不一致
• "circuits" 中文翻译 :    电影放映网
• "cmos cmos" 中文翻译 :    结构
• "bipolar cmos" 中文翻译 :    双极型互补金属氧化物半导体, 双极型cmos
• "ccd cmos" 中文翻译 :    功能的一体机
• "cmos applications" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体应用
• "cmos chicmos" 中文翻译 :    芯片
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• "cmos converters" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体倒换器
• "cmos device" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体元件
• "cmos devices" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体装置
• "cmos gate" 中文翻译 :    互补金氧半导体门电路
• "cmos inverter" 中文翻译 :    cmos倒相器
• "cmos latchucmos" 中文翻译 :    结构的闭锁
• "cmos memory" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金氧半导体存储器
• "cmos microprocessor" 中文翻译 :    互补金氧微处理器
• "cmos on sapphire" 中文翻译 :    蓝宝石上互补金属氧化物半导体
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• "cmos ram" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体随机存储器
• "cmos structure" 中文翻译 :    互补金氧半导体结构
• "cmos technology" 中文翻译 :    cmos技术; 互补金属氧化半导体技术
• "cmos transistor" 中文翻译 :    互补

• On the stability of cmos circuit and silicon controlled rectifier
  电路与可控硅电路的稳定性
• Semiconductor integrated circuits general principles of measuring methods for cmos circuits
  半导体集成电路cmos电路测试方法的基本原理
• This is due to the fact that each transistor in a cmos circuit is actually made from a pmos transistor and an nmos transistor
  这是由于cmos里的每一个晶体管都是由一个pmos和一个nmos晶体管组成的。
• In this paper , a record / playback 1c using adm is designed systematically . the adm algorithm is described and implemented with mixed - signal cmos circuits
  本论文主要设计了一种采用adm编码的语音专用芯片，完成了adm编解码器的原理研究、算法设计和电路实现。
• With the popular sources and models of static power fully discussed at first , the stack effect of transistor - level and logic - level cmos circuits are analyzed in detail according to the broadly adopted uc berkeley bsim model
  这是一款risc指令集的低功耗处理器芯片,它采用哈佛总线结构,兼容了avr指令集,具有4kb片内sram , 128kbflash (暂时处于片外) ,除了
• The constitution and the generation of cmos circuit power were researched , the main method of reducing power was illustrated , and we designed the whole circuit of thermometer according to the rule of low power and high reliability
  研究了cmos电路功耗的组成与产生原因,阐述了降低功耗的主要途径,并按照低功耗、高可靠性要求设计了体温计的整体电路。
• Its intrinsic switching time is very short ; on the order of a picosecond . perhaps even more important is the low power dissipation ; superconducting circuits dissipate on the order of a microwatt per gate , a thousand times less than cmos circuits
  这种数字电子技术具有高速、低功耗的特点，使用基于rsfq技术的逻辑电路的时钟频率可达到几百个ghz ，而功耗只有0 . 3微瓦门。
• According to the redundancy in digital circuits , we investigate the diversified redundancy - restraining techniques for lower - power cmos circuits . to erase the redundant transition of the clock , the logic design of double - edge - triggered flip - flop is presented and applied in sequential circuit design
  为消除时钟信号的兀余跳变，提出了利用时钟两个方向跳变的双边沿触发器逻辑发计并应用于时序电路设计中。
• Based on the analysis and research on fan algorithm , an iddt test pattern generation algorithm for stuck - open faults is present . in the case of ignoring hazards , for the stuck - open faults in cmos circuits , the feasibility of transient current test generation based on fan algorithm is discussed
  本文采用启发式搜索的方法，基于对fan算法的分析，在不考虑冒险的情况下对于cmos电路中的开路故障，探讨了利用fan算法进行瞬态电流测试生成的可能性。
• The implementation of in - chip clock generator is often based on modern cmos ic process technology which is usually adopted by very large scale digital system . while designing a deep sub - micrometer cmos circuit , delay , power consumption and die size are of the main factors that must be considered
  使用现代深亚微米cmos集成电路工艺制造的内部时钟发生器要综合考虑延时、功耗、面积等各种重要因素，而且经常要针对soc系统的需求设计特殊的电路结构。